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篇1：高介电HfOxNy薄膜的制备及其光学性能研究
高介电HfOxNy薄膜的制备及其光学性能研究
采用直流反应磁控溅射方法,在硅衬底制备了高介电HfOxNy薄膜.用椭偏仪研究了后期退火处理对薄膜光学性质的影响,结果表明,薄膜的折射率随退火温度的升高而增加,这主要是由于高温退火导致薄膜内部缺陷减少,使得薄膜松散的内部结构变得更加致密;薄膜的消光系数随退火温度的`升高而降低, 这是由于因为退火后薄膜内的缺陷减少.光学禁带宽度随退火温度的升高而增加,这是由于退火过程中薄膜中N 含量的减少而导致.
作 者：王莹 张丽明 杨更须 WANG Ying ZHANG Li-ming YANG Geng-xu 作者单位：王莹,张丽明,WANG Ying,ZHANG Li-ming(商丘职业技术学院,河南,商丘,476000)杨更须,YANG Geng-xu(河南大学,化学化工学院,河南,开封,475001)
刊 名：应用化工 ISTIC英文刊名：APPLIED CHEMICAL INDUSTRY 年，卷(期)： 38(2) 分类号：O484 关键词：HfOxNy薄膜 直流反应磁控溅射 椭偏仪 光学特性篇2：PLT/PbO铁电薄膜的制备及性能研究
PLT/PbO铁电薄膜的制备及性能研究
采用射频磁控溅射技术,在室温溅射、后续退火条件下,以PbO为过渡层,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备出具有完全钙钛矿结构的(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3(PLT)铁电薄膜;比较了在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上有无PbO过渡层的PLT薄膜的.微结构和铁电性能.实验结果表明,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上增加PbO过渡层提高了PLT薄膜的相纯度,并且所制备的PLT/PbO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)薄膜具有优良的介电和铁电性能,其剩余极化强度Pr为21.76 μC/cm2,室温热释电系数p为2.75×10-8 C/cm2・K.
作 者：吴家刚 朱基亮 肖定全 朱建国 谭浚哲 张青磊 WU Jia-gang ZHU Ji-liang XIAO Ding-quan ZHU Jian-guo TAN Jun-zhe ZHANG Qing-lei 作者单位：四川大学,材料科学系,四川,成都,610064 刊 名：压电与声光 ISTIC PKU英文刊名：PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS 年，卷(期)： 29(6) 分类号：O484 关键词：(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3 铁电薄膜 射频磁控溅射 剩余极化强度 热释电系数篇3：高导电聚苯胺薄膜的制备及其电磁屏蔽性能的研究
高导电聚苯胺薄膜的制备及其电磁屏蔽性能的研究
随着电器制品、电子器件的.商用、军事用和科学应用的迅速增长,产生了亟待解决的电磁干扰(也称作电磁环境污染)问题,电磁干扰屏蔽日益受到关注.本文从聚苯胺掺杂工艺角度出发,通过改变掺杂剂用量和溶剂种类,制备出高导电的聚苯胺薄膜,并对其电磁屏蔽特性进行了初步的测试与理论分析,将屏蔽效能的实测结果与理论计算值进行了比较.
作 者：宋月贤 王红理 郑元锁 徐传镶 作者单位：宋月贤,郑元锁(西安交通大学环境与化工学院,西安,710049)王红理(西安交通大学理学院,西安,710049)
徐传镶(西安交通大学电气学院,西安,710049)
刊 名：高分子学报 ISTIC SCI PKU英文刊名：ACTA POLYMERICA SINICA 年，卷(期)： “”(1) 分类号：O63 关键词：聚苯胺 掺杂 导电聚合物 电导率 电磁屏蔽篇4：石英/GW-300复合材料介电性能研究
石英/GW-300复合材料介电性能研究
制备了石英/GW-300复合材料,并对其进行了热性能、电性能等方面的.测试.结果表明,材料在氮气下的分解温度为543℃;分子结构中的较大的自由体积使得材料具有优良的介电性能,其介电常数为3.33.石英/GW-300复合材料可望满足高速飞行器宽频带天线罩的要求.
作 者：耿东兵 曾黎明 黎义 胡兵 Geng Dongbing Zeng Liming Li Yi Hu Bing 作者单位：耿东兵,Geng Dongbing(武汉理工大学,武汉,430070;航天材料及工艺研究所,北京,100076)曾黎明,胡兵,Zeng Liming,Hu Bing(武汉理工大学,武汉,430070)
黎义,Li Yi(航天材料及工艺研究所,北京,100076)
刊 名：宇航材料工艺 ISTIC PKU英文刊名：AEROSPACE MATERIALS & TECHNOLOGY 年，卷(期)： 36(2) 分类号：V25 关键词：聚酰亚胺 耐热性 介电性能篇5：Fe-Al-N薄膜的制备和磁性能
Fe-Al-N薄膜的制备和磁性能
用双离子束溅射法在(100)硅片和NaCl单晶基片上制备出FeAlN薄膜,研究了主源气氛和基片温度对FeAlN薄膜的.结构及磁性能的影响.在基片温度较高或主源中氮的含量较低时,FeAlN薄膜有较高的饱和磁化强度Ms.加入Al使薄膜的晶粒细化,也使其矫顽力下降,热稳定性提高.在500℃退火后,Al的原子分数为10.0%的FeAlN薄膜仍具有较好的软磁性能,饱和磁化强度Ms和矫顽力He分别为2.02 T和0.96 kA/m.
作 者：诸葛兰剑 吴雪梅 姚伟国 作者单位：苏州大学 刊 名：材料研究学报 ISTIC EI PKU英文刊名：CHINESE JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH 年，卷(期)： 17(2) 分类号：O484 关键词：金属材料 磁性能 离子束溅射 FeAlN薄膜 热稳定性篇6：ZnTe∶Cu薄膜的制备及其性能
ZnTe∶Cu薄膜的制备及其性能
用共蒸发法在室温下沉积了ZnTe∶Cu多晶薄膜.刚沉积的不掺Cu的薄膜呈立方相，适度掺Cu时为立方相和六方相的混合相.随着Cu含量的`增加，六方相增加，光能隙减小.根据暗电导温度关系，结合XRD和DSC的结果，认为在110℃、170℃开始出现类CuTe、类Cu2Te相以及Cu0、Cu＋离解的结果导致电导温度关系异常，应用这种薄膜作为背接触层获得了转换效率为11.6%，面积为0.52cm2的CdS/CdTe/ZnTe∶Cu太阳电池.
作 者：郑家贵 张静全 蔡伟 黎兵 蔡亚平冯良桓 作者单位：四川大学材料科学系， 成都 610064 刊 名：半导体学报 ISTIC EI PKU英文刊名：CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 年，卷(期)： 11(2) 分类号：O484 关键词：ZnTe∶Cu薄膜 制备 测试篇7：PVDF/改性BaTiO3复合材料介电性能研究
PVDF/改性BaTiO3复合材料介电性能研究
用硅烷和钛酸酯偶联剂对BaTiO3粉进行了表面处理,使用溶剂法制备了PVDF/BaTiO3复合薄膜.通过疏水亲油实验定性地分析了硅烷和钛酸酯偶联剂对BaTiO3粉的偶联作用可以改善PVDF/BaTiO3的界面结合,通过测定PVDF/BaTiO3的介电常数和介电损耗角正切值表征了复合材料的介电性能,PVDF/BaTiO3扫描电子显微镜(SEM)的`微观形态分析发现,经过偶联剂表面处理,BaTiO3粉在PVDF中的分散情况改善,偶联剂的用量对微观形态影响较大.
作 者：熊传溪 董丽杰 陈娟 刘起虹 王雁冰 作者单位：武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070 刊 名：高分子材料科学与工程 ISTIC EI PKU英文刊名：POLYMER MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING 年，卷(期)： 19(1) 分类号：O631.2+3 关键词：PVDF BaTiO3 复合材料 介电性能篇8：定向碳纳米管薄膜的制备及其场发射性能的研究
定向碳纳米管薄膜的制备及其场发射性能的研究
利用高温裂解法,以酞菁铁为原料在不同基底(石英玻璃、硅片、氧化硅片等)上成功制备了碳纳米管定向薄膜.在扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)下观察表明,得到的薄膜由定向性良好的多壁碳纳米管(MWNTs)组成.详细讨论了反应时间等工艺参数对薄膜生长的影响,并测量了不同基底上定向碳纳米管薄膜的.场发射性质.
作 者：孙明岩 车仁超 陈清 作者单位：孙明岩,陈清(北京大学电子学系,北京,100871)车仁超(中国科学院物理研究所,北京,100084)
刊 名：材料工程 ISTIC EI PKU英文刊名：JOURNAL OF MATERIALS ENGINEERING 年，卷(期)：2003 “”(8) 分类号：O462.4 关键词：碳纳米管 高温裂解法 场发射★ 严介和语录
★ 性能的近义词
高介电HfOxNy薄膜的制备及其光学性能研究（精选8篇）
