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篇1：量子阱结构中的等效宽度分析
量子阱结构中的等效宽度分析
在有效质量近似下,分析了有限深势阱的电子基态能级,并和有相同能级的'无限深势阱模型作比较,用数值方法得到了不同电场下两者之间的阱宽的关系 ,首次得出经验公式,发现结果与前人的实验和理论结果吻合得很好.分析了两种模型下的波函数和结合能,证实了有外加电场时采用零电场下的等效宽度的合理性.
作 者：周小平周剑英 杨爱龄 李锡华 江晓清 王明华 作者单位：浙江大学信息与电子工程学系,杭州,310027 刊 名：半导体学报 ISTIC EI PKU英文刊名：CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 年，卷(期)：2002 23(7) 分类号：O471.1 关键词：量子阱 等效宽度 结合能 GaAs/GaAlAs篇2：双阱结构含时量子输运的微扰论及输运方程
双阱结构含时量子输运的微扰论及输运方程
利用Lewis-Riesenfeld不变量理论和与不变量有关的幺正变换方法研究了双阱结构含时量子输运的微扰论.获得了双阱内含时薛定谔方程的精确解的完备集,在此基础上,把双阱与左右热库的`相互作用作为微挠,获得了双阱结构一阶近似下的输运方程,并在绝热近似下提供了一种用于研究量子输运过程中几何相因子(Berry相因子)的方法.
作 者：徐海磊 沈建其 陈一新 作者单位：徐海磊,陈一新(浙江近代物理中心,浙江大学物理系,杭州,310027)沈建其(浙江近代物理中心,浙江大学物理系,杭州,310027;浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,光及电磁波研究中心,杭州,310027)
刊 名：物理学报 ISTIC SCI PKU英文刊名：ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)：2003 52(6) 分类号：O4 关键词：含时量子输运 输运方程 不变量 几何相因子篇3：基于等效腐蚀损伤的飞机结构使用寿命分析
基于等效腐蚀损伤的飞机结构使用寿命分析
飞机的服役环境为腐蚀环境,腐蚀环境能够削弱结构的`承力面积,大大降低材料的抗疲劳性能,对飞机结构的使用寿命有着直接的影响.
作 者：张玎 金平朱做涛 作者单位：海军航空工程学院青岛分院 刊 名：航空维修与工程 PKU英文刊名：AVIATION MAINTENANCE & ENGINEERING 年，卷(期)：2007 “”(6) 分类号：V2 关键词：篇4：In1-xGaxAsyP1-y/GaAs应变量子阱中电子和空穴能带的组分
In1-xGaxAsyP1-y/GaAs应变量子阱中电子和空穴能带的组分调制
本文采用模型固体理论计算了In1-xGaxAsyP1-y/GaAs应变量子阱中电子和空穴的`能带结构,研究了组分对能带的调制作用.结果衷明,In1-xGaxAsyP1-y/GaAs量子阱的能带类型及带隙依赖于阱材料In1-xGaxAsyP1-y的组分.当y=1.0,x在0～1.0范围时,量子阱In1-xGaxAsyP1-y/GaAs的能带为类型Ⅰ;当y=0.6,x在0.32～1.0范围时,量子阱的能带为类型Ⅱ.即通过调整阱材料组分,可以方便实现这种量子阱的能带转型(印类型Ⅰ-类型Ⅱ的转交).
作 者：张院生 郭子政 陈玉和 ZHANG Yuan-sheng GUO Zi-zheng CHEN Yu-he 作者单位：张院生,ZHANG Yuan-sheng(内蒙古师范大学,物理与电子信息学院,呼和浩特,010022;集宁师范高等专科学校,物理系,乌兰察布市,012000)郭子政,陈玉和,GUO Zi-zheng,CHEN Yu-he(内蒙古师范大学,物理与电子信息学院,呼和浩特,010022)
刊 名：信息记录材料 ISTIC英文刊名：INFORMATION RECORDING MATERIALS 年，卷(期)：2009 10(2) 分类号：O471.1 关键词：四元混晶 量子阱 组分 能带 应交篇5：层状裂隙岩体中等效渗透性分析
层状裂隙岩体中等效渗透性分析
通过解析法和数值方法对层状裂隙的渗透等效性进行了研究,分析了两种方法对等效性计算结果的.差异,得到不同分析方法的适用条件;分析了层状裂隙岩体中不同种类裂隙隙宽的变化对等效渗透性的影响,得到了层状裂隙岩体等效渗透性的一般规律.
作 者：杜慧丽 卢刚 DU Hui-li LU Gang 作者单位：杜慧丽,DU Hui-li(上海隧道工程股份有限公司,上海,200082)卢刚,LU Gang(江苏华东建设集团,江苏,南京,210000)
刊 名：地下水 英文刊名：GROUND WATER 年，卷(期)：2009 31(5) 分类号：P642.25 关键词：层状岩体 等效渗透性 层间裂隙 切层裂隙篇6：磁场对氮化物抛物量子阱中束缚极化子的影响
磁场对氮化物抛物量子阱中束缚极化子的影响
采用改进的Lee-Low-Pines中间耦合方法研究了在外磁场作用下纤锌矿氮化物抛物量子阱中极化子能级,给出不同磁场下极化子基态能量、结合能随阱宽L的变化关系以及能量随磁场强度B变化的函数关系.在计算抛物量子阱材料中考虑了纤锌矿GaN和Al0.3Ga0.7N构成的抛物量子阱中材料中准LO和准TO声子模的.各向异性以及外磁场对极化子能量的影响.结果表明:纤锌矿氮化物抛物量子阱材料中电子-声子相互作用和外磁场对极化子能级有明显的影响.极化子基态能量,结合能随阱宽的增加而减小,随磁场的增加而增大,电子-声子相互作用使极化子能量降低,并且GaN/Al0.3Ga07N抛物量子阱对极化子的束缚程度比GaAs/Al0.3Ga0.7As抛物量子阱强,因此.在GaN/Al0.3Ga0.7N抛物量子阱中束缚于杂质中心处的电子比在GaAs/Al0.3Ga0.7As抛物量子阱中束缚于杂质中心处的电子稳定.
作 者：萨茹拉 赵凤歧 Sarula ZHAO Fengqi 作者单位：内蒙古师范大学物理与电子信息学院,呼和浩特,010022 刊 名：固体电子学研究与进展 ISTIC PKU英文刊名：RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS 年，卷(期)：2008 28(3) 分类号：O471.1 关键词：氯化物抛物量子阱 外磁场 电子-声子相互作用 极化子篇7：西部大开发中的耗散结构分析
西部大开发中的耗散结构分析
在简要介绍耗散结构理论后,用耗散结构理论来分析历史上西部开发活动,进而分析在当前西部大开发中形成耗散结构的条件,着力强调开放与制度创新.
作 者：胡玺 作者单位：四川大学,成都,610064 刊 名：重庆商学院学报 英文刊名：JOURNAL OF CHONGQING INSTITUTE OF COMMERCE 年，卷(期)：2001 “”(3) 分类号：F061.3 关键词：耗散结构 开放系统 西部大开发篇8：原子钟时域频率稳定度分析中等效自由度的计算与分析
原子钟时域频率稳定度分析中等效自由度的计算与分析
该文基于标准化自协方差函数的组合算法计算了阿仑方差、哈达玛方差的重叠和非重叠形式以及改进阿仑方差、时间方差的'等效自由度,并用经验公式计算了总方法估计的等效自由度,在此基础上对各种方差估计不同噪声情况下的等效自由度进行了比较分析,得出如下结论:总方法估计的等效自由度大于相应非总方法估计的等效自由度,重叠和非重叠阿仑方差估计的等效自由度大于相应哈达玛方差估计的等效自由度;对非重叠估计而言,噪声的频率越低,其等效自由度越大;而相应的重叠估计和总方法估计与之相反,噪声的频率越高,其等效自由度越大,这也说明重叠估计和相应的总方法估计对高频噪声等效自由度的提高优于低频噪声.
作 者：郭海荣 郭树人 焦文海 GUO Hai-rong GUO Shu-ren JIAO Wen-hai 作者单位： 刊 名：天文学进展 ISTIC PKU英文刊名：PROGRESS IN ASTRONOMY 年，卷(期)：2007 25(4) 分类号：P127.1 关键词：时间频率 原子频标 稳定性分析 置信区间 等效自由度篇9：语言学习中的心理结构分析
语言学习中的心理结构分析
人们学习和使用语言的过程牵涉到使用者的心理机制,这一机制由一套信息处理系统组成,即感觉记忆、工作记忆(短时记忆)和长时记忆,这三个组成部分是以持续时间为基础的信息存储类型,他们在存储时间的持续、信息的`容量以及编码和功能作用方面各不相同,因此,不同的学习者在学习语言时需要采取不同的学习策略,方可提高学习效率,收到令人满意的学习效果.
作 者：崔雅萍 CUI Ya-ping 作者单位：西北大学,外国语学院,陕西西安,710069 刊 名：西北大学学报（哲学社会科学版） PKU CSSCI英文刊名：JOURNAL OF NORTHWEST UNIVERSITY(PHILOSOPHY AND SOCIAL SCIENCES EDITION) 年，卷(期)：2005 35(3) 分类号：HO 关键词：语言习得 心理机制 记忆结构篇10：GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面
GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面
通过在波函数中考虑量子线的限制方向和非限制方向的相关性,计算了GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面.结果表明光致电离截面的大小受量子线尺寸的影响,并且对于相同尺寸的`量子线,有限深势阱中杂质态的光致电离截面要比无限深势阱中的大.与他人的结果比较发现,所选波函数改进了体系的束缚能,并使光致电离截面减小,这使得结果更为合理.
作 者：刘建军 苏会 关荣华 杨国琛 Liu Jianjun Su Hui Guan Ronghua Yang Guochen 作者单位：刘建军,Liu Jianjun(河北师范大学物理学院,石家庄,050016;河北工业大学物理所,天津,300130)苏会,Su Hui(中国科学院物理研究所,北京,100080)
关荣华,Guan Ronghua(河北工业大学物理所,天津,300130;华北电力大学应用物理系,保定,071003)
杨国琛,Yang Guochen(河北工业大学物理所,天津,300130)
刊 名：半导体学报 ISTIC EI PKU英文刊名：CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 年，卷(期)：2003 24(6) 分类号：O741.1 关键词：光致电离截面 束缚能 类氢杂质 量子阱线 photoionization cross-section binding energy hydrogenic impurity quantum well wire★ 课文变脸结构分析
★ 结构浅谈
量子阱结构中的等效宽度分析（锦集10篇）
