【导语】“na0001”通过精心收集，向本站投稿了6篇铁电材料研究进展及其在飞行器上的应用，今天小编在这给大家整理后的铁电材料研究进展及其在飞行器上的应用，我们一起来阅读吧!
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篇1：铁电材料研究进展及其在飞行器上的应用
铁电材料研究进展及其在飞行器上的应用
铁电材料是具有驱动和传感2种功能的机敏材料,可以块材、膜材(薄膜和厚膜)和复合材料等多种形式应用,在微电子机械和智能材料与结构系统中具有广阔的.潜在应用市场.近年来铁电陶瓷材料获得很大发展,例如弛豫型铁电陶瓷,反铁电-铁电相变型铁电陶瓷都取得了实际应用.铁电材料中大应变弛豫型铁电单晶材料研制成功,是近50年来取得的突破性进展.主要介绍了智能材料与结构相关的铁电材料特点及其在飞行器上的应用前景.
作 者：田莳 TIAN Shi 作者单位：北京航空航天大学,材料科学与工程系101教研室,北京,100083 刊 名：航空学报 ISTIC EI PKU英文刊名：ACTA AERONAUTICA ET ASTRONAUTICA SINICA 年，卷(期)：2000 21(Z1) 分类号：V254.2 关键词：铁电材料 铁电陶瓷 飞行器 应用前景篇2：铁电存储器在无线公话上的应用方案的介绍
随着社会的发展,无线公用电话的应用范围越来越广,它有着固定电话的实惠费用,又有移动电话的方便.在一些不方便布线的居住区或者移动办公的场所与固定电话有着无法比拟的优势.如在比较偏僻的农村,布线的费用昂贵,用无线公话就实惠很多.如果把无线公话用在公司,它就不用担心因公司的般迁而来引起换号码的麻烦!关于无线公话的方案也是工程师关心的问题.
无线公话的方案基本的方案常见有以下三种:
1>小容量缓存的MCU+铁电存储器
2>大容量缓存的MCU+EEPROM
3>小容量缓存的MCU+SRAM+EEPROM
现在介绍两套关于无线公话的典型的应用方案：
1) 1SST89C58+FRAM;
2) 2)SST89C554+EEPROM
1).SST89C58+FM24C64;( 小容量缓存的MCU+铁电存储器)
FM24C64的功能:主要用:
1)SST89C58的SRAM的扩展;
2)存储通话清单,SST89C58的内嵌256字节的SRAM,由于GSM数据流比较大,系统的临时数据量多,256字节的SRAM不够,须外扩SRAM作为缓冲,系统因I/O用于其他功能,所以不能外挂并口的SRAM,且比串口SRAM的价格贵,所以客户选用FM24C64,FM24C64可以作SRAM使用(读写速度快,写无等待周期).
为何不能用EEPROM用于缓冲, 缓冲数更新快,EEPROM的`擦写次数有限,EEPROM有写的等待周期,速度不能跟上数据流.
2)SST89C554+EEPROM (大容量缓存的MCU+EEPROM) SST89C554
由于89C554内嵌1K字节的SRAM,GSM的数据流可以在SRAM中缓存,通话数据的存储可以在GSM的数据流接收完毕以后,所以在该方案中不必使用FRAM.
3).对于小容量缓存的MCU+SRAM+EEPROM,此方案与方案一相似如果把EEPROM直接换成FRAM,就不用再需要加SRAM. 由于铁电存储器有EEPROM的非易失性,又具有SRAM的速度,总体而言,它可以取代MCU的SRAM或者外扩SRAM,同时可以取代EEPROM来存储器非易失性的数据.并且它取代EEPROM时,它的速度要快,擦写次数要多,切功耗要低很多.
以上通过几种无线公话方案的对比,用铁电存储器的方案一方面可以提高整机的性能,在成本方面也略有下降.
上面讲述了无线公话采用GSM模块的方案,由于它带系统时钟.如果采用的是CDMA模块,它不带系统的时钟,铁电产品FM31XX(包括3104/16/64/256) ,它们集成了实时时钟,不同容量的存储器及看门狗,电源管理和处理器的所有辅助功能.FM31XX系列与同容量的EEPROM+时钟+电源监控及看门狗的整体价格要低一些,这样一方面提高了系统的性能,另一方面也降低了整体的成本.
篇3：铁电存储器在仪表中的应用
铁电存储器在仪表中的应用
摘要：FRAM 是一种新型存贮器，最大特点是可以随总线速度无限次的擦写，而且功耗低。FRAM性能优越于EEPROM AT24C256。关键词：存贮器；FM24C256；AT24C256；EEPROM
一． 概述：
FRAM是最近几年由RAMTRON公司研制的新型存贮器，它的核心技术是铁电晶体材料，拥有随即存取记忆体和非易失性存贮产品的特性。FM24C256是一种铁电存贮器（FRAM）,容量为256KBIT存贮器，它和AT24C256容量等同，总线结构兼容，但FM24C256的性能指标远大于AT24C256。在存贮器领域中，FM24C256应用逐渐被推广和认可，尤其是大容量存贮器，它的优良特性远高于同等容量的EEPROM。在电子式电能表行业中，数据安全保存是最重要的。随着电子表功能的发展，保存的数据量越来越大，这就需要大容量的存储器，而大容量的EEPROM性能指标不是很高，尤其是擦写次数和速度影响电能表自身的质量。FM24C256在电能表中的使用，会提高电能表的`数据安全存贮特性。
二． 铁电存贮器（FRAM）FM24C256的特性：
传统半导体记忆体有两大体系：易失性记忆体（volatile memory）和非易失性记忆体（non-volatile memory）。
易失性记忆体像SRAM和DRAM在没有电源的情况下都不能保存数据。但这种存贮器拥有高性能、易用等优点。
非易失性记忆体像EPROM，EEPROM和FLASH 能在断电后仍保存数据。但由于所有这些记忆体均起源自ROM技术，所以不难想象得到他们都有不易写入的缺点：写入缓慢、读写次数低、写入时工耗大等。
FM24C256是一个256Kbit 的FRAM，总线频率最高可达1MHz，10亿次以上的读写次数，工耗低。与典型的EEPROM AT24C256相比较，FM24C256可跟随总线速度写入，无须等待时间，而AT24C256必须等待几毫秒（ms）才能进行下一步写操作。FM24C256可读写10亿次以上，几乎无限次读写。而AT24C256只有10万之一百万次读写。另外，AT24C256读写能量高出FM24C256有2，500倍。从比较中看出，FM24C256包含了RAM技术优点，同时拥有ROM技术的非易失性特点。
三． FM24C256的应用：
在仪表设计中，数据的安全存贮非常重要。如电子式电能表，它在运行期间时刻都在记录数据，
如果功能设计比较多，那么保存的数据量大，擦写次数比较多。这要求有一个高性能的存贮器才能满足要求。现在的仪表设计，寿命要求长，数据保存安全期长。目前，FM24C256是非常适合仪表设计要求的存贮器。它的性能指标完全达到设计要求，解决了仪表中的设计忧虑。更重要的是，它的存贮时间短，能够在极短的时间内保存大量数据，解决了仪表在突然断电时数据及时、安全的存贮。RAMTRON公司研制的FM24C256，为了普及使用，存贮指令和AT24C256兼容，只是在读写指令和应答是不需要延时，提高了擦写速率。封装体积、功能管角和AT24C256一样，使设计者容易接受和运用。
写子程序：
WRITE：
CLR1 PM.3 ;;设置P4.3为输出状态
CLR1 P4.2
CLR1 P4.3
CLR1 P4.1 ；；打开写保护
CALL !SENDSTART ；；发送起始位
MOV A,#10100000B
CALL !SENDCOM ;;发送写命令
BC $WNOACKX ；；没应答则错误返回
NOP
CLR1 P4.2
CLR1 PM4.3 ;; 设置P4.3为输出状态
MOV A,D ;;D中存放所写单元高地址
CALL !SENDCOM ；；发送所写单元高地址
BC $WNOACKX ；；；没应答则错误返回
CLR1 PM4.3 ;; 设置P4.3为输出状态
MOV A,E &
nbsp; ；；;;E中存放所写单元低地址
CALL !SENDCOM ；；发送所写单元低地址
BC $WNOACKX ；；没应答则错误返回
CLR1 PM4.3 ;; 设置P4.3为输出状态
MOV A,[HL] ;;[HL] 中存放所写数据
CALL !A24SENDC ；；发送所写数据
CLR1 CY
SET1 P4.1 ；；写保护
WNOACKX：
SET1 CY
RET
SENDSTART: 发送起始位子程序
SET1 P4.2
SET1 P4.3 ;;发起始位
NOP
NOP
CLR1 P4.3
CLR1 4.2
RET
SENDCOM: 发送命令子程序
CALL !A24SENDC
CLR1 P4.2
SET1 PM4.3 ;;设置P4.3为输入状态
NOP
NOP
NOP
SET1 4.2
BT P4.3,$DCOM1 ;测试应答信号，有应答CY=1，否则CY=0
CLR1 CY
RET ;BR RNOACK
DCOM1:
SET1 CY
RET
A24SENDC: 发送数据子程序
CLR1 CY
MOV B,#08H ;;发送8位
SENDREP:
CLR1 P4.2
NOP
CLR1 P4.3
ROLC A,1 ；；左移一位
BNC $SENDPD
SET1 P4.3
SENDPD:
NOP
SET1 P4.2
NOP
DBNZ B,$SENDREP ；8位发送完返回
RET
读子程序：
READ:
CLR1 PM4.3 ；；;; 设置P4.3为输出状态
CALL !SENDSTART ；发送起始位
MOV A,#10100000B
&n
bsp; CALL !SENDCOM ;; ；发送读命令
BC $RNOACK ；； 没应答则错误返回
CLR1 P4.2
CLR1 PM4.3 ;; 设置P4.3为输出状态
MOV A,D ;D中存放所读单元高地址
CALL !SENDCOM ；；发送所读单元高地址
BC $RNOACK ; 没应答则错误返回
CLR1 PM4.3 ；；设置P4.3为输出状态
MOV A,E ；；;E中存放所读单元低地址
CALL !SENDCOM ；；发送所读单元低地址
BC $RNOACK ；；没应答则错误返回
CLR1 P4.2
CLR1 PM4.3 ；；设置P4.3为输出状态
SET1 P4.2
SET1 4.3
NOP
NOP
CLR1 P4.3
CLR1 P4.2
CALL !SENDSTART ；发送起始位
MOV A,#10100001B
CALL !SENDCOM ;;发送读命令
BC $RNOACK
CLR1 P4.2
SET1 PM4.3
CALL !N24READB ；；读数据
CLR1 SK256
CLR1 PM4.6
CALL !SENDSTOP ；；发送停止位
READRET:
CLR1 CY
RET
RNOACK:
SET1 CY
RET
N24READB:
MOV B,#08H
READREPX:
CLR1 P4.2
NOP
NOP
NOP
SET1 P4.2
NOP
NOP
NOP
CLR1 CY
BF P4.3,$READPD
SET1 CY
READPD:
ROLC A,1 ;;左移1位
NOP
NOP
NOP
DBNZ B,
$READREPX ；；判断是否接受8位
RET
SENDSTOP: 发送停止位
CLR1 P4.3
NOP
SET1 P4.2
NOP
SET1 P4.3
NOP
RET
四． 小结：
FM24C256 是一种高性能的存贮器，性能指标远远大于EEPROM。在电子式电能表应用中，数据擦写次数比较频繁，而且在掉电存贮时数据量大、时间短，怎样安全可靠快速的保存数据一个关键的技术。所以，FM24C256的优良特性非常适合仪表中使用，如电能表、水表、煤气表、暖气表、计程车表、医疗仪表等应用广泛。它的封装形式有SOIC和DIP。
篇4：铁电在电力参数监测中的应用
电力参数监测仪主要用于记录电力用户每个小时的用电量和整点时电流、电压的瞬时值，这些数据需存于非易失性存储器中，当需要的时候经过市话线路被送至供电管理部门，进行处理。管理者通过这些数据可以及时、准确地了解辖区内各电力用户详细的用电情况，以便作出更加合理的决策，使有限的电力资源发挥更大的作用，同时使用电管理手段上一新的台阶。
通常情况下，停电是不可避免的，为了不破坏系统中的数据，必须使用非易失性存储器，如果使用EEPROM或闪速存储器(Flash Memory)作为存储介质显然是不合适的，因为它们的写操作需要数十毫秒，特别是在实时性要求较高的场合必须用电池支持的SRAM，它既有RAM的读写速度，又有ROM掉电数据不丢失的特性。另外使用电池支持的SRAM，还有一个优点就是可以在SRAM中放置一些密码字，起到硬件加密的作用。但是电池支持的SRAM在实际使用过程中有数据不可靠，容易丢失。另外电池容易受到环境因数的影响，例如湿度，振动。RAMTRON公司研制的铁电存储器成功批量生产解决了电池问题。它有以下特点：
1．非易失性：掉电后数据能保存10 年，所有产品都是工业级。
2．擦写次数多：5V供电的FRAM 的擦写次数1010次，低电压的FRAM 的擦写次数为无限次。
3．速度快：串口总线的FRAM 的.CLK的频率高达20M， 并且没有10MS的写等待周期，并口的访问速度70NS。
4．功耗低：静态电流小于10UA，读写电流小于150UA。
5．5V 供电的FRAM在读写次数超过100亿次后还能和RAM一样工作，只是数据不能保存。
存储器模块由Fm1808构成，具体电路见本公司设计指南。Fm1808的片选引脚/CS信号与SRAM稍有不同，SRAM为低电平选通，而Fm1808为下降沿选通。（见下图）掉电数据保护电路通过控制/CS保证了上电和掉电期间禁止Fm1808进行写操作。Fm1808有32K字节的空间。如需更大容量，可外扩。在明年的上半年有望推出1Mbit铁电存储器。
RAMTRON另有一款多功能芯片FM3808（集成实时时钟，看门狗，电压检测，32K FRAM），需外置电池或电容，但仅供时钟电源。它可以取代电池支持的SRAM+时钟+EEPROM方案。
铁电技术是一种全新的技术，用在本系统中大大的减小了线路板的面积，降低了电路的复杂性，保证数据的可靠，有助供电管理部门作出更加合理的决策。
篇5：电致伸缩器在仿生扑翼飞行器中的应用
电致伸缩器在仿生扑翼飞行器中的应用
介绍了一种电致伸缩器的新颖构思;简述了电致伸缩器的工作原理.该电致伸缩器结构简单、制造方便,若材料选择适宜,将能获得较好的驱动力和较大的直线位移且质量较小,是一种具有较高应用价值的直线驱动器,尤其适用于生物器件的.驱动,如仿生扑翼飞行器中扑翼运动的驱动.将电致伸缩器应用于仿生扑翼飞行器,通过控制电致伸缩器的“缩”和“伸”,能实现翼在一定角度范围内的上下拍动.这种驱动方式,能减小驱动器的启动功率和整个系统的冲击载荷;当驱动两翼的电致伸缩器所施加的电压不同时可使两翼拍动幅值不同,从而实现不同的飞行动作,具有较高的灵活性.
作 者：金晓怡 颜景平范厚进 JIN Xiao-yi YAN Jing-ping FAN Hou-jin 作者单位：金晓怡,JIN Xiao-yi(东南大学,机械工程学院,江苏,南京,210096;常州工学院,机电工程学院,江苏,常州,213002)颜景平,YAN Jing-ping(东南大学,机械工程学院,江苏,南京,210096)
范厚进,FAN Hou-jin(常州工学院,机电工程学院,江苏,常州,213002)
刊 名：机械制造与自动化 ISTIC英文刊名：MACHINE BUILDING & AUTOMATION 年，卷(期)：2007 36(1) 分类号：V2 关键词：电致伸缩器 工作原理 驱动扑翼运动篇6：铁电存储器FM3808在TMS320VC5402系统中的应用
铁电存储器FM3808在TMS320VC5402系统中的应用
摘要：FM3808是Ramtrom公司生产的新型超低功耗非易失铁电存储器，该器件可支持对存储区的高速读写，并可进行近乎无限次的写入。FM3808内部除具有256kB的存储阵列外还集成了实时时钟和系统监控模块，因而功能十分强大。文中介绍了FM3808的性能特点、内部结构和工作原理，分析了TMS320VC5402 DSP的并行引导装载模式。给出了DSP与FM3808组成的并行引导接口方案。关键词：铁电存储器 数字信号处理器 并行引导装载模式 FM3808
1 引言
铁电存储器（FRAM）是Ramtron公司近年推出的一款掉电非易失性存储器，它的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料的运用使铁电存储器可以同时拥有随机存储记忆体（RAM）和非易失存储器的综合特性。与EEPROM相比，FRAM可以总线速度写入数据，且在写入之后不需要任何延时等待。面EEPROM的慢速和大电流写入使其需要用高出FRAM2500倍的能量去写入每个字节。同时，FRAM有近乎无限次的写入寿命，而且价格比相同容量的不挥发锂电SRAM低很多，因此，FRAM特别适合那些对数据采集、写入时间要求很高的场合。自FRAM问世以来，已凭借其各种优点被广泛应用于测量和医疗仪表、航空航天、门禁系统和汽车黑匣子等系统之中。
(本网网收集整理)
2 主要特性有内部结构
FM3808是一款存储容量为32k×8bits的新型FRAM（减16字节），它具有高速读写、超低功耗和无限次读写等特性。其主要特点如下：
*采用32752×8位存储结构；
*读写次数高达10 11次，具有10年的数据保存能力；
*最快并行读取速度为70ns，写入无延时；
*具有实时时钟和日历功能，时钟寄存器在地址空间的最上16字节处；
*外部供给后备电源，提供32.768kHz的时间记录晶振；
*具有可编程的实时、日历时钟和报警时间；
*可编程的看门狗定时器；
*可编程的电源监控模块。
FM3808芯片上集成了了三种不同的功能：32k×8B的存储单元、实时时钟、日历功能、系统监控功能。其结构框图如图1所示。
3 FM3808功能说明
3．1 FM3808实时时钟操作
实时时钟（RTC）由晶体振荡器、时钟分频器和一个系统寄存器组成。晶体振荡只有在控制寄存器器（7FF8h）的第7位设置为0时才能开始工作，时钟分频器将32.768kHz的信号分频成1kHz，并以秒为单位来计数，可以用标志寄存器（7FF0h）并通过设置R和W来对各实时钟寄存器进行读和写。实时时钟需要提供电源才能工作，当供电电压VDD下降到低于补给电压VBAK时，实时时钟电源由VBAK供给。对于FM3808来说，用户可以选择用电流做电源，也可以选择用电容来完成供电。使用1000μF的电容时，其供电时间可达30分钟，若使用0.4μF的电容，则供电时间可长达240小时。
当标志寄存器的第2位（CAL）设置成1时，实时时钟进入校准模式。在校准蛏希INT引脚将输出512Hz的方波，用户可以通过测量INT脚偏离512Hz的误差来进行时钟校准，校准误差由用户写入到7FF8h单元。在进行完时钟校准以后，在校准温度下每月的最大误差为±4.34ppm分，通过置CAL位为0可退出时钟校准模式。
3．2 FM3808监控操作
系统监控主要包括：报警功能、看门狗定时器、电源监控器和系统中断。
报警功能是把应用编程写入的时间值和系统相应的值进行对比，如果匹配，就通过INT产生中断并设置相应的标志位AF为1。报警功能提供有四种匹配值，分别为秒、分、时、日，通过设置相应的位为0可选择对比位。
看门狗定时器由可装载计数器和自由运行的计数器组成，看门狗定时器的工作频率为32Hz，此时晶振OSCEN必须设置为0。定时器溢出值存放在7FF7h。系统上电时会自动将溢出值加载到装载寄存器，此时自由运行计数器开始计时。当计数器的值与装载值之前，可以通过设置WDS位为1来重新装载溢出值，而此时不会有中断产生。
电源监控功能是将VDD与三个门电压相比比较。这三个门电压分别为中断门电压VINT、存储器停止门电压VLO、外部供给电压VBAK。当VDD达到不同的电压门限时，FM3808内相应的功能将停止工作。FM3808共可产生四个外部中断：看门狗中断、报警时钟中断、电源低电压中断和供给电源中断。
3．3 FM3808存储器操作
FM3808逻辑上可以分成32768×8位存储结构，最上面的16字节分给了实地时钟的寄存器。FM3808通过并行口与外部微处理器进行接口，其操作与SRAM十分类似。FM3808半存储单元分成32个块，每块由256行和4列即1k×8的结构组成。其中A0~A7为行选择线，A8~A9为列选择线，A10~A14为块选择线。FM3808芯片的CE不能接地，这与普通SRAM不同。FM3808的读取过程是这样的：在CE的下降沿，地址信号被锁存，并启动一个读周期，此后即使CE发生变化也不会影响这个周期的完成。由于FM3808需要在CE的下降沿才能锁存地址信号，所以不能被CE接地，有效读时序如图2所示。
在读时间数据之前，需把7FF0.0设置为“1”，读出时间数据后，应将7FF0.0设置为“0”。在读数据时，当地址信号锁存后，在OE允许的情况下，DQ0~DQ7输出数据。FM3808共有两种写工作模式，一种是由WE来控制，另一种是由CE控制。由WE控制的写时序如图3所示。
虽然FM3808要求在CE下降之间，地址信号要存在5ns的时间，但实际应用证明，同时输出CE与地址信号的接法也是可以的。由于FRAM的读写过程会对内部存储单元造成改变，因此在一次读或写后，要很快对原有的数据进行“修补”。“修补”的过程在CE为高电平时进行，所以在一次读写的操作中，CE为低的时间不能太长，否则FM3808将来不及“修补”原有数据而造成数据丢失。FM3808规定CE为低的时间不超过10μs。
4 与TMS320C5402的引导接口
TMS320C5402上电后将首先检查MP/MC引脚的状态，若该脚为低电平，说明DSP被设置为微计算机模式，从片内ROM的0FF80h地址开始执行程序。在TMS320C5402的0FF80h地址处，存放着一条跳转至0F800h处执行DSP自引导装载（Bootloader）程序的指令。当TMS320C5402的Bootloader程序时，它将会按HPI装载模式→串行EEPROM装载程序→并行装载模式→标准串行口装模式→I/O口装载模式的顺序循环检测，以决定执行哪种启动模式。
对以TMS320C5402为核心的数字信号处理系统来说，并行引导装载模式是最适用的。TMS320C5402的`并行引导装载模式是将程序代码从外界存储器所对应的DSP数据导域区中加载到片内DARAM中。TMS320C5402的并行 装载流程如图4所示。
采用并行装载模式对程序进行加载国时，要根据并行装载的格式来配置Flash的程序数据存储空间。可先在DSP对应的数据空间FFFEH和FFFFH地址内写入要存放程序的地址，然后根据并行装载的数据流，将标识控制字、各个寄存器的初始化值、装载后的起始运行地址、程序段的大小和装载地址依次写入Flash存储程序的地址中，电子最后写入编写的程序。
FM3808与TMS320C5402的并行接口设计如图5所示，由于FM3808的工作电源为5V，因而系统中使用了SN74LVTH6244和SN74LVTH2245来完成接口设计。又由于TMS320C5402数据的寻址范围最大为64k字，而在自己不编写Bootloader程序的情况下，并行引导装载模式最大只能装载32k字的程序或数据。因此，若程序数据大于32k，就需要重新设计。
TMS320C5402上电复位装载时，由于Bootloader程序已在初始化时将XF设置为高电平，因而在通过EPM3202总的逻辑后，TMS320C5402可以将FM3808 08000h-0FFFFh单元中的数据读到TMS320C5402对应于000h-3FFFh寻址区的片内DARAM中。而在系统进入并行引导装载模式后，TMS320C5402会从数据寻址为0FFFFh的单元（A15=1，选中Flash）中读取将要载入的程序存储区首地址，然后从程序存储首地址处将标识控制字、各个寄存器的初始化值、装载后的起始运行地址、程序段的大小，装载地址依次装载到片内DRAM中。
若程序较大，而系统中还要有其它数据存储器来存放数据，那么就需要让出FM3808所占用的数据空间，此时可在EPM3202逻辑控制中使用XF。并可用主处理程序的第一条语句RSBX XF来置XF引脚为低电平，同时使CE片选无效，从而让出数据空间。若程序较小，而FM3808还需做为数据存储单元，那么可设置XF为高，然后通过CPLD中的逻辑程序来控制数据的写入和读出。CPLD的内部逻辑如图6所示。
5 设计中应注意的问题
（1）该设计方案在TMS320C5402执行Bootloader程序时所能寻址的并行接口FRAM的最大空间为32k字节，如果脱机独立运行系统的程序超过了32k字节，则只能采用另外的替代方法。
（2）FM3808中的程序数据流要严格按照并行装载的数据流来编写，以确保并行装载的成功。对FM3808数据的写入和读出应通过设置SN74LVTH2245的OE和DIR来共同完成，本系统就是通过CPLD来进行逻辑控制的，实际上也可用VHDL语言来编写逻辑。
（3）在设计过程中，可以利用FM3808中的看门狗电路来对系统运行进行监控。系统必须使用FM3808的低电压检测功能，在检测到掉电后，CPU应立即把CS端的电平置“1”，以防止在上电或掉电时FM3808中的数据发生改变。
6 结语
FM3808是拥有高速读写，超低功耗和无限次写入等特性的高性能并口存储器，它内部集成了实时时钟和系统监控功能，具有很强的实用性。通过FM3808与TMS320C540组成的硬件系统，可完成证实系统的稳定性和FM3808的性能优势。FRAM以其快速写入、抗干扰、低功耗等优点，必须成为一种颇具竞争力的存储器。
★ NiTi形状记忆合金的应用及其在激光焊接技术中的研究进展
铁电材料研究进展及其在飞行器上的应用（共6篇）
